Американский производитель памяти Micron Technology объявил о прорыве в области конструирования и производства флэш-памяти типа 3D NAND, который позволит оснащать ноутбуки накопителями емкостью свыше 10 ТБ.
Новая технология, разработанная при участии инженеров из Intel, подразумевает использование большого количества слоев ячеек, наложенных друг на друга. Партнеры смогли расположить таким образом 32 слоя и, используя технологию хранения двух битов данных в одной ячейке, получить чип емкостью 32 ГБ, и технологию хранения трех битов данных в одной ячейке — чип емкостью 48 ГБ.
«Двухмерная NAND-память близка к своей технологической границе, что становится вызовом для индустрии флэш-памяти. Перспективная технология 3D NAND позволит производителям чипов памяти продолжить следовать закону Мура, обеспечить дальнейший рост производительности и сокращения издержек», — заявили в Micron.
«Новые чипы позволят создавать SSD-накопители емкостью 3,5 ТБ размером с жевательную резинку и емкостью свыше 10 ТБ размером с 2,5-дюймовый диск», — добавили в компании, подчеркнув, что это втрое больше по сравнению с современными накопителями.
Чтобы при использовании большого количества слоев не снизились качество производства и надежность работы памяти, инженеры Micron в партнерстве с Intel воспользовались ячейками с плавающим затвором. Такие ячейки получили распространение во флэш-памяти с планарной структурой и до этого ни разу не использовались в 3D NAND. Партнеры утверждают, что новая память достаточно надежна, чтобы ее можно было использовать в дата-центрах.
(Вот будет что засирать разной ерундой!)
